UT70P03L-TN3-R-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-3V；
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流70 A
导通电阻13 mΩ
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流70 A
导通电阻13 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 70A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,30A |
| 数量 | 1个P沟道 |