UT8205AG-AG6-R-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款是双N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要高效功率管理和电路控制的领域，尤其适用于要求小尺寸和高性能的模块。SOT23-6；2个N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1.5V；
沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流6 A
阈值电压1.5 V
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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流6 A
阈值电压1.5 V最大
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 其他 | |
| 数量 | 2个N沟道 |