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UT9435HG-AA3-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P沟道,30V,5.3A

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沟道P 沟道
耐压30 V
导通电阻50 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
导通电阻50 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
其他
导通电阻(RDS(on))50mΩ@10V,5.3A
数量1个P沟道
耗散功率(Pd)2.5W

技术资料

数据手册数据手册 · 49.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 343.3 KB · 2026-09-21
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