UTD408L-TN3-R-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流70 A
导通电阻9 mΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流70 A
导通电阻9 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 70A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |