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UTM4953G-SO8-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单

双P沟 30 4.9A

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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4.9 A
阈值电压2 V

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4.9 A
阈值电压2 V最大
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.9A
阈值电压(Vgs(th))2V
其他
数量2个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 175.1 KB · 2026-09-21
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