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UTT18P10G-TN3-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P沟道功率MOSFET，具备高开关速度和成本效益

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沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流18 A
导通电阻200 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流18 A
导通电阻200 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)18A
其他
导通电阻(RDS(on))200mΩ@10V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 49.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 288.3 KB · 2026-09-21
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