UTT25P06L-TN3-R-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
耐压60 V
连续漏极电流35 A
导通电阻58 mΩ
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耐压60 V
连续漏极电流35 A
导通电阻58 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 35A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W |