UTT25P10L-TN3-R-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流16 A
导通电阻120 mΩ
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沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流16 A
导通电阻120 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 16A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V,15A |
| 数量 | 1个P沟道 |