台积电流片,长电科技封装;是一种单路P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于各种不同的领域和模块,例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23;P—Channel沟道,-30V;-5.6A;RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.5~-2V;
VB2355是一款P沟道30V MOSFET,SOT-23封装,典型导通电阻46mΩ@VGS=-10V,连续漏极电流-5.6A,工作温度-55~150°C,符合RoHS和无卤标准。规格书核对
沟道P 沟道
耐压-30 V
连续漏极电流-5.6 ~ -4.3 A
导通电阻46 mΩ
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沟道P 沟道
耐压-30 V
连续漏极电流-5.6 ~ -4.3 A-5.6 A (TC=25°C),-5.1 A (TC=70°C),-5.4 A (TA=25°C),-4.3 A (TA=70°C)
导通电阻46 mΩ典型 · 0.046 Ω Typ (VGS=-10 V,ID=-4.4 A),0.049 Ω Typ (VGS=-6 V,ID=-4 A),0.054 Ω Typ (VGS=-4.5 V,ID=-3.6 A)
阈值电压-2 V最大 · -2.0 V Max (VDS=VGS,ID=-250 μA)
规格书核对参数
25 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 沟道 | P-Channel | |
| 耐压 | -30 V | |
| 连续漏极电流 | -5.6 A (TC=25°C), -5.1 A (TC=70°C), -5.4 A (TA=25°C), -4.3 A (TA=70°C) | |
| 导通电阻 | 0.046 Ω Typ (VGS=-10 V, ID=-4.4 A), 0.049 Ω Typ (VGS=-6 V, ID=-4 A), 0.054 Ω Typ (VGS=-4.5 V, ID=-3.6 A) | |
| 阈值电压 | -0.5 V Min, -2.0 V Max (VDS=VGS, ID=-250 μA) | |
| 封装 | SOT-23 (TO-236) |
全部参数(4 项)
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |
引脚与封装
封装SOT-23 (TO-236)
| 脚位 | 名称 | 功能 | 出处 |
|---|---|---|---|
| 1 | 栅极 (Gate) | ||
| 2 | 源极 (Source) | ||
| 3 | 漏极 (Drain) |
器件图片
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。