VB2355

台积电流片,长电科技封装;是一种单路P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于各种不同的领域和模块,例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23;P—Channel沟道,-30V;-5.6A;RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.5~-2V;

VB2355是一款P沟道30V MOSFET,SOT-23封装,典型导通电阻46mΩ@VGS=-10V,连续漏极电流-5.6A,工作温度-55~150°C,符合RoHS和无卤标准。规格书核对

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沟道P 沟道
耐压-30 V
连续漏极电流-5.6 ~ -4.3 A
导通电阻46 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压-30 V
连续漏极电流-5.6 ~ -4.3 A-5.6 A (TC=25°C),-5.1 A (TC=70°C),-5.4 A (TA=25°C),-4.3 A (TA=70°C)
导通电阻46 mΩ典型 · 0.046 Ω Typ (VGS=-10 V,ID=-4.4 A),0.049 Ω Typ (VGS=-6 V,ID=-4 A),0.054 Ω Typ (VGS=-4.5 V,ID=-3.6 A)
阈值电压-2 V最大 · -2.0 V Max (VDS=VGS,ID=-250 μA)

规格书核对参数

25 项
参数值和测试条件出处
沟道P-Channel
耐压-30 V
连续漏极电流-5.6 A (TC=25°C), -5.1 A (TC=70°C), -5.4 A (TA=25°C), -4.3 A (TA=70°C)
导通电阻0.046 Ω Typ (VGS=-10 V, ID=-4.4 A), 0.049 Ω Typ (VGS=-6 V, ID=-4 A), 0.054 Ω Typ (VGS=-4.5 V, ID=-3.6 A)
阈值电压-0.5 V Min, -2.0 V Max (VDS=VGS, ID=-250 μA)
封装SOT-23 (TO-236)
工作温度-55 to 150 °C
RoHSCompliant
无卤Compliant
栅源电压±20 V
脉冲漏极电流-18 A (t=100 μs)
最大耗散功率2.5 W (TC=25°C), 1.6 W (TC=70°C), 1.25 W (TA=25°C), 0.8 W (TA=70°C)
漏源击穿电压-30 V (VGS=0 V, ID=-250 μA)
栅源漏电流±100 nA Max (VDS=0 V, VGS=±20 V)
零栅压漏极电流-1 μA Max (VDS=-30 V, VGS=0 V), -5 μA Max (VDS=-30 V, VGS=0 V, TJ=55°C)
正向跨导18 S Typ (VDS=-15 V, ID=-3.4 A)
输入电容1295 pF Typ (VDS=-15 V, VGS=0 V, f=1 MHz)
输出电容150 pF Typ (VDS=-15 V, VGS=0 V, f=1 MHz)
反向传输电容130 pF Typ (VDS=-15 V, VGS=0 V, f=1 MHz)
总栅极电荷24 nC Typ, 36 nC Max (VDS=-15 V, VGS=-10 V, ID=-5.4 A); 11.4 nC Typ, 17 nC Max (VDS=-15 V, VGS=-4.5 V, ID=-5.4 A)
栅极电阻1.5 Ω Min, 7.7 Ω Typ, 15.4 Ω Max (f=1 MHz)
体二极管正向电压-0.8 V Typ, -1.2 V Max (IS=-4.3 A, VGS=0 V)
体二极管反向恢复时间15 ns Typ, 23 ns Max (IF=-4.3 A, dI/dt=100 A/μs, TJ=25°C)
结到环境热阻75 °C/W Typ, 100 °C/W Max (t ≤ 5 s)
结到引脚热阻40 °C/W Typ, 50 °C/W Max (Steady State)
全部参数(4 项)展开收起
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.6A
其他
导通电阻(RDS(on))54mΩ@4.5V
数量1个P沟道

引脚与封装

封装SOT-23 (TO-236)

脚位名称功能出处
1栅极 (Gate)
2源极 (Source)
3漏极 (Drain)

器件图片

VB2355实物照片 · 产品库

技术资料

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。