VBA2102M
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺，适用于广泛的领域和模块。SOP8；P—Channel沟道,-100V；-2.5A；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流2.5 A
导通电阻160 mΩ
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沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流2.5 A
导通电阻160 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,2A |
| 数量 | 1个P沟道 |