VBsemi(微碧半导体)中国

TO252；N—Channel沟道,150V；15A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2V；是一款高性能N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于各种要求中高压和中等电流的应用场景。