VBsemi(微碧半导体)中国

TO263；N—Channel沟道,100V；250A；RDS(ON)=1.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款单N沟道场效应晶体管，采用SGT技术，适用于多个电子领域和模块。