VBMB1302
晶体管 - FET，MOSFET - 单TO220F；N—Channel沟道,30V；180A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流28.8 A
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流28.8 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 28.8A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |
TO220F；N—Channel沟道,30V；180A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 28.8A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |