VBMB2152M
晶体管 - FET，MOSFET - 单TO220F；P—Channel沟道,-150V；-15A；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
沟道P 沟道
耐压150 V
导通电阻200 mΩ
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沟道P 沟道
耐压150 V
导通电阻200 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |
TO220F；P—Channel沟道,-150V；-15A；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |