VDR10N095LSA

VDR10N095LSA

在产单 FET,MOSFETTO-252-2L

【联系:sales@hxymos.com】该N沟道场效应管具备70安培连续漏极电流与100伏漏源耐压,导通电阻低至8.2毫欧,栅源电压额定值为20伏。低内阻特性显著降低导通损耗,适用于大电流直流电源转换、高性能电机驱动及电池保护电路。在同步整流拓扑或负载开关应用中,该器件能提供高效的功率传输能力,确保系统在高负载条件下维持稳定的电气性能与热管理表现。

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连续漏极电流70 A

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技术参数

连续漏极电流70 A
环境与封装
封装TO-252-2L
其他
ID70A
RDON8.2mR
TYPEN沟道
VDSS100V
VGS20V

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