Figure 2. Pin connection SO-8

IC REG CTRLR OFFLINE 730V 8W SO-8/DIP-8

VIPer12A是一款离线开关电源初级开关,集成电流模式PWM控制器与高压MOSFET,支持SO-8和DIP-8封装,具备过温、过流及过压保护功能。规格书核对

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技术参数

规格书核对参数

26 项
参数值和测试条件出处
封装SO-8, DIP-8
工作温度Internally limited
存储温度-55 to 150 °C
开关漏源电压-0.3 ... 730 V (TJ = 25 ... 125 °C)
启动漏源电压-0.3 ... 400 V (TJ = 25 ... 125 °C)
供电电压0 ... 50 V
反馈电流3 mA
漏源击穿电压Min 730 V (ID = 1 mA; VFB = 2 V)
关断状态漏极电流Max 0.1 mA (VDS = 500 V; VFB = 2 V; TJ = 125 °C)
静态漏源导通电阻Typ 27 Ω, Max 30 Ω (ID = 0.2 A)
静态漏源导通电阻(高温)Max 54 Ω (ID = 0.2 A; TJ = 100 °C)
下降时间Typ 100 ns (ID = 0.1 A; VIN = 300 V)
上升时间Typ 50 ns (ID = 0.2 A; VIN = 300 V)
漏极电容Typ 40 pF (VDS = 25 V)
启动充电电流Typ -1 mA (100 V ≤ VDS ≤ 400 V; VDD = 0 V ... VDDon)
非开关工作供电电流Typ 3 mA, Max 5 mA (IFB = 2 mA)
开关工作供电电流Typ 4.5 mA (IFB = 0.5 mA; ID = 50 mA)
重启占空比Typ 16 %
VDD欠压关断阈值Min 7 V, Typ 8 V, Max 9 V
VDD启动阈值Min 13 V, Typ 14.5 V, Max 16 V
VDD阈值迟滞Min 5.8 V, Typ 6.5 V, Max 7.2 V
VDD过压阈值Min 38 V, Typ 42 V, Max 46 V
典型功率能力(欧洲)8 W for SO-8, 13 W for DIP-8 (195 - 265 Vac)
典型功率能力(宽范围)5 W for SO-8, 8 W for DIP-8 (85 - 265 Vac)
开关频率Fixed 60 kHz
VDD电压范围9 V to 38 V
全部参数(6 项)展开收起
交流 / 直流特性
Switching frequency60 kHz
环境与封装
PackageSO-8, DIP-8
其他
BV_DSS730 V (Min)
r_DS(on)27 Ω (Typ)
T_C-40 to 150 °C
V_DD0 ... 50 V

引脚与封装

Figure 2. Pin connection SO-8
Figure 2. Pin connection SO-8
封装:SO-8, DIP-8
脚位名称功能出处
1SOURCE:功率MOSFET源极和电路地参考
2SOURCE:功率MOSFET源极和电路地参考
3FB:反馈输入。有效电压范围0 V至1 V,定义MOSFET峰值漏极电流。FB引脚短接至SOURCE引脚时获得最大漏极电流限制。
4VDD:控制电路电源。启动期间通过连接至漏极的高压电流源提供充电电流。滞回比较器监测VDD电压并提供两个阈值:VDDon(典型14.5 V)设备开始开关并关闭启动电流源;VDDoff(典型8 V)设备停止开关并开启启动电流源。
5DRAIN:功率MOSFET漏极。启动阶段也用于内部高压电流源为外部VDD电容充电。
6DRAIN:功率MOSFET漏极。启动阶段也用于内部高压电流源为外部VDD电容充电。
7DRAIN:功率MOSFET漏极。启动阶段也用于内部高压电流源为外部VDD电容充电。
8DRAIN:功率MOSFET漏极。启动阶段也用于内部高压电流源为外部VDD电容充电。

器件图片

技术资料

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。