VSC080N06MS-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。SOT23；N—Channel沟道,60V；4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流4 A
导通电阻75 mΩ
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流4 A
导通电阻75 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |