搜索结果:AP133
共 11 条- 匹配型号11
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- 涉及品牌4
产品搜索结果共 11 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 稳压器 - 线性,低压降输出(LDO)稳压器 | 数据手册1 | 查看详情 | |||||
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| 单 FET,MOSFET | 查看详情 | ||||||
| 单 FET,MOSFET | 查看详情 | ||||||
| 单 FET,MOSFET | 查看详情 | ||||||
| 稳压器 - 线性 | IC REG LDO ADJ 0.3A 6DFN | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
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| 单 FET,MOSFET | 此N沟道MOSFET具有2A的连续漏极电流(ID)和20V的漏源极耐压(VDSS),适用于多种低压应用场景。其导通电阻(RDON)为49mΩ,在12V栅源电压(VGS)下工作,能够显著减少发热,提高电路效率。该元件特别适合用于便携式电子产品、电源管理和信号处理等领域的开关或调节功能,是实现高性能电路设计的理想选择。 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 稳压器 - 线性,低压降输出(LDO)稳压器 | IC REG LIN POS ADJ 300MA SOT25 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 稳压器 - 线性 | IC REG LIN POS ADJ 300MA SOT25 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;是一款单极性的功率场效应管,采用Trench工艺制造,适合于空间有限的应用场合。SC70-3;P—Channel沟道,-20V;-3.1A;RDS(ON)=80mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.45~-1.5V; | 数据手册1 | 查看详情 |
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