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DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

【联系：sales@hxymos.com】该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为3A，最大反向重复电压VR达600V。其正向压降VF为1.7V，反向漏电流IR低至5μA，体现出良好的导通与阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复速度和能效要求较高的电力电子电路中，在提升系统效率的同时保障运行可靠性。

【联系：sales@hxymos.com】该快恢复/高效率二极管采用独立式结构，具有3A的额定正向电流和600V的反向耐压能力，正向压降为1.7V，反向漏电流低至5μA，展现出良好的导通效率与阻断性能。器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流，在高频开关电路中能有效减少恢复损耗，适用于对响应速度和能效有较高要求的电源整流、逆变及各类高效电能转换场合。