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MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3

FDN304PZ 型号P沟道MOS管，采用经济高效的SOT-23-3L封装形式，专为现代电子设备的小型化需求设计。器件拥有20V的额定电压VDSS，以及4.1A的连续电流ID处理能力，适用于多种功率控制应用。其导通电阻低至34mR，有助于提升系统效率，降低能耗。此款MOS管常用于电源开关、负载驱动、逻辑电平转换等功能模块，出厂前历经严格品质检验，确保为用户提供稳定可靠的性能表现。

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；