搜索结果：IPW65R190CFDFKSA2

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3

台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和25A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ，栅源电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高温工作能力，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时N沟道结构便于实现高效的开关控制，在高频运行条件下仍能保持稳定性能。