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MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块，如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。TO220；N—Channel沟道,100V；70A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

IRF540ZPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典封装TO-220，专为高电压、大电流应用打造。其具有100V的额定电压和高达70A的连续电流处理能力，特别适用于电源转换、电机驱动等领域。导通电阻低至8.5mΩ，确保在大电流运行时仍能保持高效率和低功耗。选择IRF540ZPBF MOS管，让您的设计兼具强劲动力与节能效果。

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：110W JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10A,10V