搜索结果:NDS331N
共 9 条- 匹配型号9
- 有数据手册8
- 涉及品牌8
产品搜索结果共 9 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 | 数据手册4 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册6 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册3 | 查看详情 | |||||
| 单 FET,MOSFET | 数据手册1 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | N沟道,20V,4.0A,,23.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA;应用领域:应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。 | 数据手册4 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为20V电压系统设计,额定电流高达2.3A。器件具备低导通电阻和卓越开关性能,广泛应用在充电器、电源转换及各类电子设备中,实现高效、稳定的功率控制与管理。 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册7 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;这是一款单N型场效应晶体管,适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造;可用作开关电源的关键部件,驱动汽车电子系统中的各种负载,控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23;N—Channel沟道,20V;6A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=0.45~1V; | 数据手册1 | 查看详情 |
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