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MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23

NDS332P MOS管，采用紧凑型SOT-23封装形式，内建P沟道结构，性能卓越。该器件具有20V的最高漏源击穿电压(VDSS)，能在安全电压范围内稳定工作，同时提供高达2.3A的连续漏极电流(ID)，确保强大驱动能力。尤其值得关注的是其超低导通电阻RD(on)仅120mR，显著降低了功率损耗并提升了整体系统效能。适用于电源管理、开关调节等电路设计，是您实现高效能应用的理想之选。

应用于便携式设备负载开关、DC/DC转换器。

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；