HXY MOSFET(华轩阳电子)China
该N沟道场效应管漏极电流达150安培，漏源击穿电压30伏，导通电阻仅1.5毫欧，栅源电压耐受值为20伏。器件凭借极低内阻与大电流承载能力，适用于高密度电源转换、服务器供电模块及大功率电池管理系统。在需要高效能切换的直流负载场景中，其低损耗特性显著降低温升，满足高性能计算设备对稳定供电与紧凑散热的严苛要求。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current150 A
On-resistance1.5 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 150A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |