VBsemi(微碧半导体)China
CSD18534KCS-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current120 A
Gate threshold voltage2 VMax
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| Other | |
| 数量 | 1个N沟道 |