HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系：sales@hxymos.com】该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为3A，最大反向重复电压VR达600V。其正向压降VF为1.7V，反向漏电流IR低至5μA，体现出良好的导通与阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复速度和能效要求较高的电力电子电路中，在提升系统效率的同时保障运行可靠性。
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Key specs
Forward voltage1.7 VMax
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SMB |
| Other | |
| IF | 3A |
| IFSM | 80A |
| IR | 5uA |
| VF | 1.7V |
| VR | 600V |
| 二极管配置 | 独立式 |