HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系：sales@hxymos.com】该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流为2A，最大反向重复电压达600V。其正向压降典型值为1.7V，在导通状态下具备较低的功率损耗；反向漏电流仅为5μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对开关速度和能效有较高要求的电源转换与整流场合，能够在高频工作条件下维持稳定性能。
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Key specs
Forward voltage1.7 VMax
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SMB |
| Other | |
| IF | 2A |
| IFSM | 60A |
| IR | 5uA |
| VF | 1.7V |
| VR | 600V |
| 二极管配置 | 独立式 |