HXY MOSFET(华轩阳电子)China

【联系：sales@hxymos.com】该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为3A，最大反向重复电压（VR）为600V。其正向压降（VF）为1.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）低至5μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对恢复速度和能效有较高要求的开关电源、逆变器及各类高频整流电路中。