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Technical parameters

Power
Ic-最大集电极电流0.225A
IC-最大集电极电流0.225A
VCEO-CE结击穿电压400V
VCEO-集射级击穿电压400V
AC and DC characteristics
fT-变换频率50MHZ
hFE-最小直流增益100
Hfe-最小直流增益100
Environment and package
封装类型1SOT89
最大工作温度150℃
Other
Pd-功率耗散1W
Pd-最大功率耗散1W
VCE(sat)-CE结饱和压降0.5V
VCE(sat)-集射级饱和压降0.5V
引脚数量13

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