VBsemi(微碧半导体)China
FDMS7656AS-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current33 A
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 33A |
| Other | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |