VBsemi(微碧半导体)China
FDMS86103L-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域，为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；65A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage100 V
Continuous drain current65 A
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 65A |
| Other | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 50W |