HXY MOSFET(华轩阳电子)China
此款SOT-23封装的PNP三极管，具备40V高击穿电压VCEO和1.5A大电流承载能力，放大倍数高达300至480，尤其适用于需要高增益、大电流处理能力的电子电路中，提供卓越的信号放大功能。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
TypePNP
Collector-emitter voltage40 V
| Power | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| AC and DC characteristics | |
| 特征频率(fT) | 150MHz |
| Other | |
| 晶体管类型 | PNP |