HXY MOSFET(华轩阳电子)China
本款消费级N沟道MOSFET采用大电流封装TOLL，具备80V的额定电压和高达400A的连续电流处理能力，专为高功率应用设计。适用于电源转换、电机驱动及大型负载开关场景
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage80 V
Continuous drain current400 A
On-resistance1.6 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 400A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V,20A |
| 数量 | 1个N沟道 |