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Technical parameters

Power
功率管 - 功率管漏电流 Idss10 | uA
功率管 - 功率管的击穿电压 BVdss650 | 700 | V
电流检测部分 - 前沿消隐时间 TLEB500 | ns
电流检测部分 - 原边峰值电流 Ipp176 | 185 | 194 | mA
电流检测部分 - 最大占空比 D_max50 | %
电源部分 - VDD 供电压 VDD_reg5.8 | 6.1 | V
电源部分 - VDD 嵌位电压 VDD_CLAMP10mA | 6.3 | V
电源部分 - VDD 欠压保护 UVLO_off5.3 | V
电源部分 - 静态电流 I_VDDVDD=6.1V | 150 | 250 | uA
AC and DC characteristics
功率管 - 功率管导通阻抗 Rds_onIdrain=50mA | 32 | 40 | Ω
反馈输入部分 - 最小消磁频率 Toff_min3.6 | us
电流检测部分 - 芯片关断延迟 TDELAY100 | ns
Other
反馈输入部分 - 开路检测参考消磁时间 Tdem_OVP5 | us
反馈输入部分 - 恒流模式下消磁时间与开关周期时间的比值 Tcc/Tdem2
反馈输入部分 - 最大消磁时间 Toff_max255 | us
过温保护 - Drain 1内部高压功率管漏极。
过温保护 - GND 2芯片地。
过温保护 - TO-92 引脚名引脚号 | 功能说明
过温保护 - VDD 3芯片电源。
过温保护 - 过温保护迟滞 T_hys30 | ℃
过温保护 - 过温保护阈值 T_f160 | ℃

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