Infineon TechnologiesGermany
IPZA65R029CFD7
Single FETs, MOSFETsAll alternatives
View full reportTechnical parameters
| Power | |
|---|---|
| ID-最大漏极电流 | 69A |
| Id-额定电流 | 69A |
| VDSS-最大漏源电压 | 650V |
| Vgs(th)-门槛电压 | 4.5V |
| AC and DC characteristics | |
| RDS(on)-漏源导通阻抗 | 29mΩ |
| Ron-最大导通阻抗 | 29mΩ |
| Environment and package | |
| 封装类型1 | TO247 |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| 最小工作温度 | -55℃ |
| Other | |
| Qg-栅极电荷 | 145nC |
| Vdss-漏源耐压 | 650V |
| 内置ESD保护二极管 | 0 |
| 内置整流二极管 | 0 |
| 引脚数量1 | 3 |
| 集成ESD保护二极管 | 0 |
| 集成整流二极管 | 0 |