Infineon TechnologiesGermany
IRF7807VPBF-1
Single FETs, MOSFETsAll alternatives
View full reportTechnical parameters
| Power | |
|---|---|
| ID-最大漏极电流 | 8.3A |
| VDSS-最大漏源电压 | 30V |
| Environment and package | |
| 封装类型1 | TO263 |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| Other | |
| Pd-功率耗散 | 2.5W |
| Qg-栅极电荷 | 9.5nC |
| Vgs-栅源耐压 | 20V |
| 内置ESD保护二极管 | 0 |
| 内置整流二极管 | 0 |
| 引脚数量1 | 3 |