VBsemi(微碧半导体)China
IRFZ44VPBF-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，具有适中的电压容限和漏极电流，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current50 A
Gate threshold voltage3 VMax
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| Other | |
| 数量 | 1个N沟道 |