VBsemi(微碧半导体)China
IRL3803VPBF-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单体N沟道场效应管，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、汽车电子模块、工业自动化控制模块等领域。TO220；N—Channel沟道,30V；140A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current140 A
On-resistance2 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 140A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V,38.8A |
| 数量 | 1个N沟道 |