All alternatives

View full report

Technical parameters

Power
ID-最大漏极电流18A
Id-额定电流18A
VDSS-最大漏源电压200V
Vgs(th)-门槛电压3V
AC and DC characteristics
RDS(on)-漏源导通阻抗157mΩ
Ron-最大导通阻抗157mΩ
Environment and package
封装类型1TO252
Other
Ciss-输入电容780pF
Ciss-输入等效电容780pF
Qg-栅极电荷24nC
Vdss-漏源耐压200V
Vgs-栅源耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量13
集成ESD保护二极管0
集成整流二极管0

Documents