PJSEMI(平晶微)China
PJM20DN30DN
Transistors - FETs, MOSFETs - Single2个N沟道，Trench（沟槽型），VDS=30V ID=20A RDS(ON)<15mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<20mΩ@Vgs=4.5V, 通过 100% 雪崩测试
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current20 A
On-resistance15 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V |
| 数量 | 2个N沟道 |