VBsemi(微碧半导体)China
RFD3055LE-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较大的电压容忍度，可提供良好的电路灵活性。适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。TO251；N—Channel沟道,60V；35A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current30 A
Gate threshold voltage3.5 VMax
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| Other | |
| 数量 | 1个N沟道 |