HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该N沟道MOSFET具备90A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为3.5毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其低导通电阻有助于在大电流应用中有效降低功率损耗，提升系统效率。器件适用于高频率开关电源、直流-直流转换器以及对热性能和空间布局有较高要求的电子设备中，能够在保持稳定工作的同时减少散热设计复杂度。