VBsemi(微碧半导体)China
SPD09P06PLG-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current25 A
Gate threshold voltage1 VMax
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 25A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| Other | |
| 数量 | 1个P沟道 |