HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压为200V。其正向压降典型值为0.95V，有助于降低导通损耗；反向漏电流为300μA，在关断状态下具备良好的隔离性能。器件可承受高达40A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源输出级、续流路径及对效率和瞬态响应有要求的各类电子电路。
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Key specs
Forward voltage950 mVMax
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SOD-123FL |
| Other | |
| IF | 2A |
| IFSM | 40A |
| IR | 300uA |
| VF | 0.95V |
| VR | 200V |
| 二极管配置 | 独立式 |