HXY MOSFET(华轩阳电子)China
SS810
Single Diodes肖特基二极管具备8A的正向电流IF,反向恢复电压VR最高可达100V,正向电压降VF为0.85V,反向漏电流IR在室温下低于20微安,同时能够承受高达150A的瞬时正向浪涌电流IFSM。该二极管适用于高频开关电源中的整流环节,以及电子设备内的瞬态电压抑制,其低VF值有助于减少能量损耗,提高系统的整体效率。此外,快速的开关特性使其成为逆变器和DC-DC转换器中的关键组件,能够有效提升电力转换装置的性能表现。
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Key specs
Reverse voltage100 V
Average rectified current8 A
Forward voltage850 mVMax · 8.0A
| Power | |
|---|---|
| 整流电流 | 8A |
| Other | |
| 二极管配置 | 独立式 |
| 正向压降(Vf) | 850mV@8.0A |
| 直流反向耐压(Vr) | 100V |