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Technical parameters

Power
ID-最大漏极电流18A
Id-额定电流18A
VDSS-最大漏源电压200V
AC and DC characteristics
RDS(on)-漏源导通阻抗150mΩ
Ron-最大导通阻抗150mΩ
Environment and package
封装类型1TO263
封装类型2TO220
Other
Qg-栅极电荷38nC
Vdss-漏源耐压200V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量13
引脚数量23
集成ESD保护二极管0
集成整流二极管0

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