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IGBT — ID@25℃(A): 90、ID@100℃(A): 80、PD(W): 500、BVCES(V): 800
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View full reportTechnical parameters
| BVCESAT(V) | 2 |
| BVCES(V) | 800 |
| ID@100℃(A) | 80 |
| ID@25℃(A) | 90 |
| PD(W) | 500 |
IGBT — ID@25℃(A): 90、ID@100℃(A): 80、PD(W): 500、BVCES(V): 800
| BVCESAT(V) | 2 |
| BVCES(V) | 800 |
| ID@100℃(A) | 80 |
| ID@25℃(A) | 90 |
| PD(W) | 500 |