VBsemi(微碧半导体)China
UT2304G-AE3-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current6.5 A
On-resistance33 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |