VBsemi(微碧半导体)China
UT3N06G-AE3-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。SOT23；N—Channel沟道,60V；4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current4 A
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| Other | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 1.09W |